به منظور اطمینان یابی از صحت عملکرد زیرسیستم تعیین و کنترل وضعیت ماهواره و اجزای آن، لازم است تا مجموعه تست هایی را در سطح قطعات و زیرسیستم انجام داد. یکی از ابزارهای پرکاربرد در فرآیند انجام این تست ها پیچه هلمهولتز است که وظیفه آن تولید میدان مغناطیسی یکنواخت است. این وسیله در تست عملکردی و کالیبراسیون حسگرها و عملگرهای مغناطیسی، تست سخت افزار در حلقه زیرسیستم تعیین و کنترل وضعیت، و همچنین تست های مربوط به اندازه گیری پسماند مغناطیسی قطعات ماهواره کاربرد دارد. در این مقاله، معادلات ریاضی حاکم بر پیچه هلمهولتز بررسی، نحوه طراحی و ملاحظات آن پیشنهاد شده و مجموعه تست های عملکردی و همچنین تست های شناسایی برای بررسی طراحی و ارزیابی نمونه ساخته شده ارائه می شود. با یافتن مدل ریاضی این وسیله، مقدمات لازم برای طراحی سیستم کنترل حلقه بسته به منظور حذف اغتشاشات مغناطیسی محیطی و ایجاد میدان مغناطیسی مطلوب توسط پیچه هلمهولتز فراهم می آید.

شدت و جهت بردار مغناطش آهنرباهای دائمی بعد از ساخت، به دلایل گوناگونی، از شدت و جهت مطلوبی که حین ساخت مورد نظر بوده است اختلاف خواهند داشت. در این مقاله، مراحل طراحی فیزیکی و مکانیکی و سپس ساخت پیچه ی هلمهولتز برای اندازه گیری شدت و جهت بردار مغناطش در آهنرباهای دائمی به منظور استفاده در ساخت یک آندولاتور تخت برای اولین بار در کشور ارائه شده است. کالیبراسیون پیچه ی هلمهولتز با منبع جریان و پروب هال با دقت لازم بحث شده است. دقت اندازه گیری شدت بردار مغناطش در راستای محور آسایش آن در حدود 03/0%، و صحت اندازه گیری 015/0% به دست آمده است. به کمک پیچه ی هلمهولتز، تعداد حدود 160 آهنربای دائمی اندازه گیری شده اند. نتایج اندازه گیری مؤلفه های مختلف این آهنرباها ارائه، و از نتایج به دست آمده در ساخت اولین آندولاتور طرح چشمه ی نور ایران استفاده شده است.

در این مقاله یک میدان مغناطیسی جایگزیده با استفاده از پیچه ی هلمهولتز به همراه یک مغزه ی فرومغناطیس با هندسه ی مناسب جهت تمرکز شار مغناطیسی طراحی و شبیه سازی شده است. این میدان می تواند جهت تمرکز مغناطیسی دارو های حامل بورون در BNCT مورد استفاده قرار گیرد.

در مطالعه حاضر، با در نظر گرفتن کشش های مغناطیسی و حرارت ایجاد شده در اثر جریان الکتریکی و جریان گردابی، معادلات غیرخطی جدیدی برای بررسی رفتار ارتعاشی ورق های فرومغناطیس حامل جریان الکتریکی واقع در میدان مغناطیسی ارائه شده است. پس از استخراج معادلات دیفرانسیل حاکم بر سیستم با استفاده از قانون دوم نیوتن، معادلات غیرخطی کوپل با استفاده از روش گالرکین گسسته سازی شده و سپس به صورت عددی حل شده اند. نتایج عددی ارائه شده در تحقیق حاضر با نتایج موجود در ادبیات فن مقایسه شده و سپس اثر پارامترهای مختلف بر روی مشخصه های ارتعاشی ورق فرومغناطیس نرم بررسی شده است. نتایج تحقیق نشان می دهد که میدان مغناطیسی و جریان الکتریکی تأثیر قابل توجهی بر روی رفتار ارتعاشی نوار ورق دارند و منجر به افزایش دامنه نوسانات سیستم می شوند. وجود میدان مغناطیسی باعث کاهش سفتی معادل ورق شده و افزایش آن ناپایداری استاتیکی را در سیستم رقم می زند. همچنین با در نظر گرفتن مؤلفه نیروی ایجاد شده در اثر کشش های مغناطیسی که نوآوری این مقاله می باشد، خیز استاتیکی در ورق ایجاد می شود و بر روی پاسخ حالت ماندگار آن تأثیر می گذارد. از طرفی در بررسی اثرات حرارتی مشخص گردید که فرض کوپل حرارتی باعث افزایش فرکانس طبیعی نوار ورق می شود.

امروزه استفاده از سرامیک ها و آلیاژهای سخت در صنایع پیشرفته باعث شده تا روش های نوینی مانند ماشین کاری تخلیه الکتریکی به منظور کاهش معایب روش های سنتی براده برداری این مواد ایجاد شود. این روش ها نیز به نوبه خود دارای ایرادهایی از جمله کیفیت سطح ماشین کاری هستند که در این مقاله با استفاده از یک میدان مغناطیسی متناوب خارجی و انجام آزمایش های عملی بر روی آلیاژ سخت اینکونل 718 در رفع تعدادی از آن ها تلاش شده است. در این نوشته برای ایجاد یک میدان مغناطیسی خارجی با استفاده از جریان متناوب حول منطقه انجام فرایند تخلیه الکتریکی یک پیچه هلمهولتز پیشنهاد شده است. در روش سنتی و پیشنهادی، شعاع کانال پلاسما مدل سازی ریاضی -عددی می شود و برای صحت سنجی نتایج تئوری، آزمایش های تجربی تعریف می گردد. مقایسۀ یکنواختی سطح (مورفولوژی) و زبری سطح (Ra) به عنوان پارامترهای اثربخشی بین روش سنتی و روش پیشنهادی در نظر گرفته شده اند. کانال پلاسما استوانه ای فرض شده است. جهت کنترل زبری سطح از یک زبری سنج استفاده شد. نتایج مدل سازی ریاضی-عددی کاهش 10% قطر کانال پلاسما را نشان می دهد. طبق نتایج به دست آمده میزان زبری سطح در زمان های ثابت، کاهش یافته است. مبنای صحت سنجی روش پیشنهادی، مقایسه پارامترهای خروجی کیفیت سطح ماشین کاری در آزمایش های تجربی می باشد.

زمینه و هدف: بر اساس نتایج برخی از مطالعات، میدانهای مغناطیسی قادرند بر روی احتمال بروز، افزایش و یا ایجاد استعداد بروز تشنج در افراد موثر باشند. مطالعه حاضر با هدف بررسی اثرات میدان مغناطیسی حاصل از جریان الکتریکی متناوب بر حملات تشنجی فراخوانده با پنتیلن تترازول انجام شد.روش بررسی: در این مطالعه تجربی، دستگاه مولد میدان مغناطیسی طراحی و ساخته شد و از پنتیلن تترازول (PTZ) برای ایجاد حملات تشنجی استفاده گردید. رت های نژاد ویستار با وزن 250 تا 300 گرم به عنوان نمونه آزمایشگاهی انتخاب شدند. آزمایش در سه دوره زندگی (جنینی، نوزادی و پس از بلوغ) انجام شد. در آزمایش اول، گروههای تجربی در دوران جنینی روزانه به مدت نیم ساعت در معرض میدان مغناطیسی 50 هرتز (Hz) با شدت 5 و 10 میلی تسلا (mt) و در آزمایش دوم از لحظه تولد روزانه نیم ساعت به مدت یک ماه در معرض میدان مغناطیسی با شدت mt 5 و mt 10 قرار گرفتند. رت ها در گروههای بالا پس از بلوغ تحت تزریقات سه مرحله ای PTZ (هر مرحله 25 mg/kg)، با فاصله زمانی 15 دقیقه قرار گرفتند. در آزمایش سوم، دو آزمون حاد و مزمن بر روی رت های بالغ نر انجام گرفت؛ در آزمون حاد رت های نر گروههای تجربی در حضور میدان mt 5 و mt 10 تحت تزریقات سه مرحله ای PTZ و در آزمون مزمن به مدت 5 هفته (نیم ساعت در روز، 4 روز در هفته) در معرض میدان مغناطیسی با شدت 5 mt  قرار گرفتند و پس از آن به همراه رت های گروه شاهد تحت تزریقات سه مرحله ای PTZ قرار گرفتند. در کلیه گروهها دوره تاخیری حملات حاصل از تزریقات PTZ بررسی شد. داده ها با استفاده از آزمون آماری ANOVA و Tukey و در سطح معنی داری P£0.05 تحلیل شدند.یافته ها: بین هیچ یک از گروههای تجربی و شاهد در جهت تشنج زایی، افزایش شدت تشنج و افزایش استعداد بروز تشنج اختلاف معنی داری وجود نداشت. در برخی موارد، کاهش معنی داری در شروع دوره تاخیری تشنج مشاهده شد.نتیجه گیری: قرار گرفتن کوتاه مدت جنین، نوزاد و فرد بالغ در معرض میدان مغناطیسی نمی تواند بر بروز تشنج، افزایش شدت تشنج و یا ایجاد استعداد تشنج و تعداد فرزندان متولد شده، تاثیری داشته باشد.